Dépôt PACVD

Comme pour la gravure plasma, les dépôts de matériaux en couches minces par PACVD (dépôts par voie chimique en phase vapeur assistés par plasma) dans les plasmas micro-onde distribués représentent un axe de recherche traditionnel de l’équipe, dont les premiers travaux remontent au début des années 90.

Aujourd’hui, les plasmas multi-dipolaires permettent le transfert au niveau industriel de tous les procédés PACVD étudiés, depuis le nettoyage et la préparation des surfaces jusqu’au dépôt de métaux ou de diélectriques, de DLC (diamond-like carbon), et au dépôt par épitaxie de silicium (avec ou sans dopage) ou d’alliages Si-Ge. Ce sont aussi des outils de recherche fondamentale et de R&D très appréciés en raison de la souplesse de leurs conditions opératoires, et des possibilités d’extension d’échelle qu’ils permettent.

Enfin, les plasmas matriciels ont montré l’étendue de leurs possibilités en termes d’uniformité et de vitesse de dépôt, supérieure au µm / minute.

Réacteur GALIX 500 mm x 500 mm pour dépôt PACVD sur grandes surfaces (courtoisie du Laboratoire PICM de l’Ecole Polytechnique, Palaiseau)

Articles et ouvrages de référence

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