Une nouvelle équipe sous la direction de J. Pelletier va s'implanter sur notre site, précisemment dans le bâtiment 4:

« Centre de recherche Plasmas Matériaux Nanostructures »

Permanents : Doctorants & Non-Permanents :

Jacques PELLETIER DR2 Jérôme SIROU IR2 (CDD)
Ana LACOSTE PR2 UJF Louis LATRASSE D (2006)
Stéphane BECHU CR1 Tan Vinh TRAN D (2007)
Fabrice FABIANO TS UJF (mi-temps)
Yves ARNAL IR1 (bénévole)
Alexandre BES IR2

Les principaux axes de recherche de l’équipe sont basés sur la technique des DECR (Distributed Electron Cyclotron Resonance) et sur les multi-dipolaire:

• Implantation ionique par immersion plasma (IIIP ou PIII)
  • Applications : Implantation d’azote, d’oxygène ou d’hydrogène dans les matériaux par IIIP (revêtements anticorrosion, couches barrière, couches tribologiques, dopage de semi-conducteurs, couches enterrées, smart-cut)

   

• Pulvérisation directe et réactive assistée par plasma micro-onde DECR
  • Applications : Dépôts de couches adhérentes, denses et à contraintes contrôlées par pulvérisation assistée par plasma DECR (AlN, CrN, TiN, Cu, Fe, Ni).

   

• Dépôt & Gravure (Si, W, SiO2, …) et dépôt (SiO2, DLC, …) en plasma DECR ou multi-dipolaire
  • Applications : Dépôts de couches adhérentes, denses et à contraintes contrôlées par CVD (dépôt chimique en phase vapeur) assisté par plasma DECR ou multi-dipolaire (SiO2, DLC)

• Implantation ionique par immersion plasma (IIIP) avec des impulsions forte tension - fort courant (0-100 kV, 0-100 A)

• La technique d’implantation ionique par immersion plasma (IIIP) consiste à appliquer au substrat immergé dans le plasma des impulsions haute tension négatives (jusqu’à 100 kV et jusqu’à 60Hz) de courte durées (quelques dizaines de µs). Les ions présents dans le plasma autour de l’échantillon sont implantés dans le matériau.